Ga₂O₃器件：解锁功率半导体性能新上限

作为新一代超宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga₂O₃）凭借其独特的物理特性，相较传统材料展现出无可替代的优势，为功率器件升级提供核心支撑：

成本优势显著：Ga₂O₃材料及制备工艺成本更低，单晶圆可产出更多器件。

开关频率更快：同规格下器件占用面积更小，开关频率更快且开关损耗极低。

稳定性能卓越：具有更好的高温稳定性和一致性，器件温度系数小。

硬核实力背书：全链条布局筑牢技术壁垒

作为高新技术企业，始终以技术创新为核心竞争力，构建起全方位产业优势：

团队层面，聚集国际领先的技术开发团队，核心成员源自全球顶尖功率器件公司，深耕行业多年具备深厚的“Know-How”，为技术研发提供坚实支撑。

研发层面，已实现全链条打通，覆盖市场调研、设计、工艺、封装、量测、应用等全环节，2025年10月成功完成第一片2英寸科研级Ga₂O₃二极管晶圆流片，性能达750V/2A。

政策层面，公司已入选杭州市“海创未来”领军人才项目，凭借过硬技术实力获得资本与政府的双重认可，为产业化推进注入强劲动力。

多领域深度适配：赋能产业绿色升级

依托氧化镓器件的高性能优势，可为电力电子设备升级提供核心器件支撑，其可应用于：

电力转换领域：μDCDC模块、服务器电源、光伏辅助电源；

交通与能源领域：大功率直流充电模块、车载辅助电源、主驱逆变、OBC；

工业与家电领域：工业电机、暖通空调（HVAC）等。